金融界2024年4月29日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为「光阻组成物及形成光阻图案的方法「,授权公告号CN110955112B,申请日期为2019年9月。
专利摘要显示,一种光阻组成物及形成光阻图案的方法。形成光阻图案的方法包括:形成上方层于基板上的光阻层上方,上方层包含漂浮添加物聚合物;选择性曝光光阻层至光化辐射;显影光阻层,以在光阻层中形成图案;以及移除上方层。漂浮添加物聚合物为硅氧烷聚合物。
本文源自金融界
金融界2024年4月29日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为「光阻组成物及形成光阻图案的方法「,授权公告号CN110955112B,申请日期为2019年9月。
专利摘要显示,一种光阻组成物及形成光阻图案的方法。形成光阻图案的方法包括:形成上方层于基板上的光阻层上方,上方层包含漂浮添加物聚合物;选择性曝光光阻层至光化辐射;显影光阻层,以在光阻层中形成图案;以及移除上方层。漂浮添加物聚合物为硅氧烷聚合物。
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