金融界2024年4月17日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为「集成电路以及用于形成集成电路的系统和方法「，授权公告号CN113690216B，申请日期为2017年11月。
专利摘要显示，集成电路结构包括栅极结构组、第一导电结构、第一组通孔和第二组通孔，以及第一组导电结构。该栅极结构组位于第一层级处。第一导电结构在第一方向上延伸，与该栅极结构组重叠并且位于第二层级处。第一组通孔位于栅极结构组和第一导电结构之间。第一组通孔将该栅极结构组连接至第一导电结构。第一组导电结构在第二方向上延伸，与第一导电结构重叠并且位于第三层级处。第二组通孔将第一组导电结构连接至第一导电结构，并且位于第一组导电结构和第一导电结构之间。
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