胡正明教授一席話，讓人不禁想深思，芯片工藝再細分到納米已是極限，未來的發展必須另辟蹊徑。堆疊技術，即將成為突破瓶頸的新方向。這不僅是技術的革命，更是對未來電子產業的一次大膽預測。
咱們先來聊聊胡正明教授這位大佬，曾是台積電的技術長，一手推動了芯片工藝的多次跨越。時間回到1999年，當時他帶領團隊開發出了Fin FET技術，這技術一出，直接把芯片的效率和效能推上了一個新高度。可就在大家還沈浸在這項技術帶來的好處時，胡教授已經在思考更遠的未來了。
來到了3nm工藝，是現在最尖端的技術之一，但胡教授卻覺得這已經是納米工藝的極限了。他在一次訪談中提到，納米級別的進一步細分已經沒多大意義，因為技術總有其局限性。他信心滿滿地說，在未來的十年，芯片工藝將不再是單純下探納米，而是要向三維空間擴充套件，透過層層堆疊的方式，實作晶體管數量的大幅增加。
這種想法一出，就像一股清流沖擊著整個半導體行業。想想看，現在的芯片都是平面上鋪設晶體管，如果能在同一個晶圓上疊加多層，那將極大地提升整合度和處理能力。這不就是給芯片插上了翅膀麽！
但技術的革新從不是一帆風順的，尤其是像堆疊技術這樣的大變革。胡教授提到的三維晶體管和多層路線設計，聽著就覺得挑戰重重。首先，這要求極高的精密度和對材料的了解，每一層的晶體管都必須精確到位，稍有不慎，就可能導致整個芯片的失敗。
而且，當前的制造工藝也需要相應的改進和創新。傳統的芯片生產線是為二維設計最佳化的，要轉向三維，器材和技術都得跟上。這不僅僅是投入巨大的資金，還需要時間來克服各種技術難題。
不過，胡教授對此充滿信心。他認為，盡管現在看起來困難重重，但技術的進步從來都是向著看似不可能的方向前進的。就像當年的Fin FET技術，最初也是充滿爭議，但最後不也證明了其革命性的價值嗎？
正當大家還在思索胡教授的話時，另一邊的三星已經開始行動了。訊息稱，三星已經在開發第二代的3nm工藝，並計劃未來使用GAA FET技術。這種技術與Fin FET相比，控制性更好，但代價也大得多——不僅工藝更為復雜，而且良品率也很低。
台積電這邊，雖然也在研究GAA FET，但為了保證穩定，還是決定在蘋果A17Pro芯片上繼續使用Fin FET技術。這種保守的策略雖然保證了出貨量和良品率，但在效能提升和功耗控制上似乎有些力不從心，被不少業內人士批評為「擠牙膏」。
這場技術的變革和革新，就像是一場沒有硝煙的戰爭。每一個決定和轉變，都可能直接影響到整個行業的未來格局。而胡教授的前瞻性思維，無疑為這場戰爭註入了新的活力和方向。
這一切的發展，都標誌著一個新時代的到來。從納米到堆疊，從二維到三維，芯片工藝的每一次飛躍都不僅是技術的勝利，更是人類智慧的勝利。而這，只是一個開始。
