5月25日訊息，有網友給手機晶片達人留言：驍龍8 Gen4不會再現驍龍888那種情況吧？
對此，手機晶片達人回復：驍龍8 Gen4采用台積電3nm工藝，不是三星。
眾所周知，驍龍888終端普遍存在過熱問題，當時所有矛頭都指向了三星5nm工藝制程。
由於當時蘋果吃掉了台積電的大部份5nm產能，高通只能退而求其次選擇三星作為代工廠。
而作為首批使用三星5nm工藝的芯片，驍龍888的發熱被指與三星5nm工藝問題有關。
據數位博主測評，在相同條件的遊戲體驗後，麒麟9000和蘋果A14兩款台積電5nm芯片的平均芯片功耗為2.9W和2.4W，而 采用三星5nm技術的驍龍888為4.0W。
從晶體管密度上來說，台積電的5nm工藝能達到1.73億顆晶體管， 三星的工藝更為落後，5nm工藝僅達到1.27億顆晶體管。
因三星工藝問題，從驍龍8+ Gen1開始，高通轉投台積電懷抱，驍龍8+ Gen1、驍龍8 Gen2、驍龍8 Gen3等旗艦平台都選擇台積電代工，其市場表現良好。
即將在今年10月份亮相的驍龍8 Gen4也會選擇台積電代工，而且首次使用台積電3nm工藝制程。
據爆料，高通驍龍8 Gen4使用的是台積電最新一代3nm制程N3E，N3E修復了N3B上的各種缺陷，設計指標也有所放寬，對比N5同等功耗，效能提升15-20％、同等效能功耗降低30-35％，邏輯密度約1.6倍、芯片密度約1.3倍，表現值得期待。
