金融界2024年4月29日訊息,據國家智慧財產權局公告,台灣積體電路制造股份有限公司取得一項名為「光阻組成物及形成光阻圖案的方法「,授權公告號CN110955112B,申請日期為2019年9月。
專利摘要顯示,一種光阻組成物及形成光阻圖案的方法。形成光阻圖案的方法包括:形成上方層於基板上的光阻層上方,上方層包含漂浮添加物聚合物;選擇性曝光光阻層至光化放射線;顯影光阻層,以在光阻層中形成圖案;以及移除上方層。漂浮添加物聚合物為矽氧烷聚合物。
本文源自金融界
金融界2024年4月29日訊息,據國家智慧財產權局公告,台灣積體電路制造股份有限公司取得一項名為「光阻組成物及形成光阻圖案的方法「,授權公告號CN110955112B,申請日期為2019年9月。
專利摘要顯示,一種光阻組成物及形成光阻圖案的方法。形成光阻圖案的方法包括:形成上方層於基板上的光阻層上方,上方層包含漂浮添加物聚合物;選擇性曝光光阻層至光化放射線;顯影光阻層,以在光阻層中形成圖案;以及移除上方層。漂浮添加物聚合物為矽氧烷聚合物。
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