金融界2024年3月28日訊息，據國家智慧財產權局公告，台灣積體電路制造股份有限公司取得一項名為「測試三維記憶體單元陣列的方法和記憶體電路「，授權公告號CN113380313B，申請日期為2021年5月。
專利摘要顯示，一種測試三維(3D)記憶體單元陣列的方法，包括將數據寫入3D記憶體單元陣列中的記憶體單元的每個層，同時執行3D記憶體單元陣列的至少第一支列中的每個記憶體單元的讀取操作，確定3D記憶體單元陣列中的一個記憶體單元是否響應於讀取操作而發生故障，並響應於確定該3D記憶體單元陣列中的記憶體單元發生故障而將3D記憶體單元陣列中的至少一個故障記憶體單元替換為備用記憶體單元。第一支列包括在3D記憶體單元陣列的每個對應層上的記憶體單元。本發明的實施例還涉及一種記憶體電路。
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